三星今天在韩国宣布，开始大规模量产64层堆叠、256Gb(32GB)、3bit的V-NAND闪存芯片，是为第四代3D闪存。
其实在今年1月，三星已经向关键的大客户出货采用64层 V-NAND介质的SSD产品，如今半年过去，产能扩充，消费级用户可以顺利用上了。
新的闪存芯片将用于生产手机UFS存储、PC/服务器固态盘、外置存储卡等产品。
三星强调，新一代64层V-NAND的带宽速率高达1Gbps，是目前业界最快，是上一代48层3bit的1.5倍。
另外，在功耗方面，电压从3.3V降低到2.8V，说明工艺改良了不少，漏电极大减少，从而使效能提升30%。
竞争对手方面，东芝的64层也已经少量出货，SK海力士计划在今年底量产更激进的72层产品。不过，三星强调，作为一哥和3D NAND的始创者，它们有信心继续保持领先，并在年底前将64层闪存的产能覆盖到月度总量的50%以上。
可以预见，以TB为单位的固态盘、以及128GB以上的UFS3.0手机闪存或将迅速普及开来。
三星今天在韩国宣布，开始大规模量产64层堆叠、256Gb(32GB)、3bit的V-NAND闪存芯片，是为第四代3D闪存。
其实在今年1月，三星已经向关键的大客户出货采用64层 V-NAND介质的SSD产品，如今半年过去，产能扩充，消费级用户可以顺利用上了。
新的闪存芯片将用于生产手机UFS存储、PC/服务器固态盘、外置存储卡等产品。
三星强调，新一代64层V-NAND的带宽速率高达1Gbps，是目前业界最快，是上一代48层3bit的1.5倍。
另外，在功耗方面，电压从3.3V降低到2.8V，说明工艺改良了不少，漏电极大减少，从而使效能提升30%。
竞争对手方面，东芝的64层也已经少量出货，SK海力士计划在今年底量产更激进的72层产品。不过，三星强调，作为一哥和3D NAND的始创者，它们有信心继续保持领先，并在年底前将64层闪存的产能覆盖到月度总量的50%以上。
可以预见，以TB为单位的固态盘、以及128GB以上的UFS3.0手机闪存或将迅速普及开来。
