二硫化钽可作超快存储器机制获解

最近，俄罗斯国家研究型技术大学莫斯科国立钢铁合金学院（NUST MISIS）工作人员提出了一种层状二硫化钽隐藏潜在状态的形成理论，从而确证了二硫化钽可用来长期储存信息，并能以超快速度处理信息。相关论文发表在《科学报告》杂志上。

二硫化钽是一种富有前景的现代微电子材料。谢尔盖·布拉佐夫斯基2014年与斯洛文尼亚的同行一起，发现了其隐藏潜在状态。他们用超短激光或电子脉冲照射尺寸小于100纳米的二硫化钽样本，使样本从绝缘体变成了导体（或者相反），转变速度比现代计算机中充作记忆载体的最快材料还要快几倍，且状态在受照射后并未消失，而是保存下来。由此显示，这种材料有潜力成为新一代信息载体的候选。

研究人员解释：“在斯洛文尼亚同行发现物质在普通相位跃迁时所无法达到的隐藏潜在状态后，各种杂志中涌现出一大波这方面的科研文章。但是，大量文章只是试验性的，而理论滞后。也就是说，在许多实验室中都可以得到这种状态，但为何得到的恰好就是这种状态，它的形成机制如何，整体而言它的性质如何，仍不得而知。现在，我们探寻了发生过程的理论基础。”这一理论模型可用于描述新发现状态的最重要的性质：纳米结构镶嵌块的形成和转变。