为了提高手机续航 他们真拼了(3)

2016-03-28 08:20 快科技

打印 放大 缩小

来源标题:为了提高手机续航 他们真拼了

为了提高手机续航 他们真拼了

除了结构上的努力外,SoC的制程工艺也是影响功耗的主要因素,为此已经从28nm、20nm进化到了16nm、14nm,晶体管结构也从2D发展到了3D的FinFET工艺,大幅改善了电路控制并减少漏电流,使得处理器更省电。

当然,除了SoC外,屏幕也是手机耗电的大户。为此各大上游供应商研发出了各种新技术来减少耗电,比如夏普推出的IGZO,而最省电的还得数AMOLED屏幕,这种不需要背光的材质还推动了Always On Display(常亮显示)功能的普及。在存储方面,新LPDDR4内存规格1.1V的电压比过去LPDDR3降低了0.1V;UFS 2.0闪存性能比eMMC 5.0快87%,意味着完成同等任务花费的时间更少,从而起到节省电量的作用。

责任编辑:陶国琪(QT0003)